PIN d'InGaAs 1100nm-1650nm 75um avec le type de Sc de Sc ROSA InGaAs Detector Chip
La photodiode d'InGaAs du petit secteur 1100nm-1650nm emploie une puce de détecteur d'InGaAs, et comporte une consommation de puissance faible,
petite sensibilité courant et élevée d'obscurité, grandes linéarités, design compact et petit volume.
L'équipement est le plus utilisé généralement dans les récepteurs de CATV, l'équipement de détection de puissance et les récepteurs de signal optique pour les systèmes analogues.
1. Caractéristiques :
Basse perte de retour courant et basse d'obscurité
Sensibilité élevée
Paquet coaxial, soudure laser
Réponse d'impulsion rapide
Fiabilité élevée et longue vie d'opération
2.Applications :
Récepteur optique analogue
Équipement de test
Réseau de FTTH
CATV en avant/chemin de retour
Moniteurs d'EDFA
Système de transmission optique
3, optiques et électriques caractéristiques
| Paramètre | Symbole | Mn. | Type. | Maximum. | Unité | Condition d'essai |
| Gamme de longueurs d'onde | λ | 1100 | - | 1650 | nanomètre | - |
| Chaîne de puissance | P | -70 | - | +3 | dBm | V, =5V |
| Diamètre actif | Annonce | 75 | 80 | um | - | |
| Courant d'obscurité | Identification | - | 0,2 | 0,5 | Na | - |
| Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | λ=1310 nanomètre |
| 0,90 | 0,95 | λ=1550 nanomètre | ||||
| Largeur de bande de fréquence | Guerre biologique | 1 | 2000 | Mégahertz | ||
| Réponse en fr3quence | Franc | - | ±0,5 | - | DB | |
| Capacité | Ct | - | - | 0,75 | PF | - |
| Temps de réponse | TR | - | - | 1 | NS | - |
| CHF | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
| CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Capacités absolues
| Paramètre | Symbole | Estimations | Unité |
| Température de stockage | Tstg | ~40 〜 +100 | °C |
| Température de fonctionnement | Dessus | -40 〜 +85 | °C |
| Max Input Power | Pmax | +4 | dBm |
| Tension d'opération | VOP | 5 | V |
| Tension inverse de palladium | VR (PALLADIUM) | 25 | V |
| Temp de soudure | - | 260 | °c |
| Temps de soudure | - | 10 | s |
Caractéristiques optiques et électriques
| Paramètre | Symbole | Mn. | Type. | Maximum. | Unité | Condition d'essai |
| Gamme de longueurs d'onde | λ | 1100 | - | 1650 | nanomètre | - |
| Chaîne de puissance | P | -70 | - | +4 | dBm | V=5V |
| Diamètre actif | Annonce | 75 | um | - | ||
| Courant d'obscurité | Identification | - | 0,2 | 0,5 | Na | - |
| Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | 入 =1310 nanomètre |
| 0,90 | 0,95 | 入 =1550 nanomètre | ||||
| Largeur de bande de fréquence | Guerre biologique | 1 | 2000 | Mégahertz | ||
| Réponse en fr3quence | Franc | - | 土 0,5 | - | DB | |
| Capacité | Ct | - | 0,65 | 0,75 | PF | - |
| Temps de réponse | TR | 0,1 | - | NS | - | |
| Perte de retour | R1 | -45 | DB | |||
| CHF de CHF | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
| CTB CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Hicorpwell est une prise professionnelle dans des modules coaxiaux de diode de détecteur photoélectrique d'InGaAs (récipient actif optique analogue ROSA brancher)
fabricant en Chine. Nous fournissons également des diodes lasers de papillon, diode de détecteur coaxiale de laser de tresse d'InGaAs, dispositif coaxial de laser de diode de tresse
et plus.
5. Tâche de Pin de palladium :
