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Diode laser de point de gel de l'unité DFB d'isolement de Support Module Without de programme pilote de périphérique d'onde entretenue de puissance élevée de représentation

10sets
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Diode laser de point de gel de l'unité DFB d'isolement de Support Module Without de programme pilote de périphérique d'onde entretenue de puissance élevée de représentation
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Caractéristiques
Type: Diode laser
Longueur d'onde: 1270nm-1610nm
Isolement: Simple/double
Puce: CWDM DFB
Tolérance: +/-3nm
Paiement: TT/PayPal
Tension inverse maximale: 15 (PALLADIUM)
Type de paquet: Par le trou
Informations de base
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: HICORPWELL
Certification: ISO9001;2015
Numéro de modèle: Modules coaxiaux optiques de laser de diode laser du tresse DFB de fibre
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: 7X25X34CM, 10 PCs dans une boîte, 50 PCs dans un carton
Conditions de paiement: Western Union, L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement: 5000pcs par semaine
Description de produit

Diode laser de point de gel de l'unité DFB d'isolement de Support Module Without de programme pilote de périphérique d'onde entretenue de puissance élevée de représentation

 

 

Caractéristiques

 

Isolant optique intégré de Ø

Basse capacité de Ø et bas courant d'obscurité

Ø
De forte stabilité des lasers de DFB mourez

Bas courant de seuil de Ø, bas courant d'opération

Isolement élevé intégré par Ø, basse perte par insertion

 

Applications

 

Transmission d'inverse de CATV

L'autre transmission optique analogue ou de Digital

 

 

Capacités absolues

 

Paramètre Symbole Mn. Maximum. Unité Condition d'essai
Température de stockage Tstg -40 100 -
Température de fonctionnement Dessus -40 85 -
Actuel en avant (LD) Si (LD)   150 mA  
Tension inverse (LD) Vr (palladium)   2 V  
Actuel en avant (palladium) Si (LD)   2 mA  
Tension inverse (palladium) Vr (palladium)   15 V  
Temp de soudure - - 260 -
Temps de soudure - - 10 S S

 

 

Caractéristiques optiques et électriques

 

Paramètre Symbole Mn. Type. Maximum. Unité Condition d'essai
Puissance évaluée PO 6 8   mW Ith+40mA
Courant de seuil Ith   5 10 mA Onde entretenue
Opération fonctionnante Si   45 55 mA Onde entretenue, P=Po
Chute de tension en avant VOP - 1,1 1,5 V Onde entretenue, Ith+40mA
Longueur d'onde de cent λc 1540 1550 1560 nanomètre -3DB
Largeur de spectre Δλ -   0,2 nanomètre -20dB
rapport de suppression de Côté-mode SMSR 35   - DB -
Largeur de bande (3dB) Guerre biologique - 2,5   Gigahertz -
Courant de moniteur Im 0,1   0,9 mA Onde entretenue, Ith+40mA
Courant d'obscurité de moniteur Identification - - 0,1 uA 5V
Bruit relatif d'intensité RIN - -155 -150 dB/Hz Onde entretenue, 25℃
Planéité passe-bande de rf FB   ±1.0   DB If=Iop, 45MHz-2500MHz, °C T=25
Déformation de troisième ordre IMD3 - -55 - dBc essai de 2 tons,
Isolement optique OIN 30 40 - DB 25℃

 

 
Note 1. 2.5Gb/s NRZ, pseudo-aléatoire, Pb=0.2mW, Ppeak=1.0mW
 
Des conditions supplémentaires peuvent être arrangées par la négociation amicale.
 
nous nous réservons le droit d'apporter des modifications au produit ou l'information a contenu ci-dessus
 
sans préavis.

 

Diode laser de point de gel de l'unité DFB d'isolement de Support Module Without de programme pilote de périphérique d'onde entretenue de puissance élevée de représentation 0Diode laser de point de gel de l'unité DFB d'isolement de Support Module Without de programme pilote de périphérique d'onde entretenue de puissance élevée de représentation 1
 
 

 

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