Module optique de diode laser de l'isolant 1550nm DFB d'InGaAs de photodiode intégrée de moniteur avec et sans TECHNIQUE
le module de diode laser de 1550nm DFB a une photodiode intégrée de moniteur d'InGaAs et un isolant optique intégrés à l'intérieur de son paquet.
Sa largeur de bande directe de modulation est plus grande que 1.8GHz. Cette diode laser convient aux applications dans les réseaux optiques
comme des systèmes de communication mobile et des systèmes de CATV.
Caractéristiques :
Applications :
Caractéristiques :
Les diodes avec la sortie standard 2mW ou la puissance à haute production 5mW sont disponibles.
Capacités absolues
| Paramètre | Symbole | Mn. | Maximum. | Unité | Condition d'essai |
| Température de stockage | Tstg | -40 | 100 | ℃ | - |
| Température de fonctionnement | Dessus | -40 | 85 | ℃ | - |
| Actuel en avant (LD) | Si (LD) | 150 | mA | ||
| Tension inverse (LD) | Vr (palladium) | 2 | V | ||
| Actuel en avant (palladium) | Si (LD) | 2 | mA | ||
| Tension inverse (palladium) | Vr (palladium) | 15 | V | ||
| Temp de soudure | - | - | 260 | ℃ | - |
| Temps de soudure | - | - | 10 | S | S |
Caractéristiques optiques et électriques
| Paramètre | Symbole | Mn. | Type. | Maximum. | Unité | Condition d'essai |
| Puissance évaluée | PO | 6 | 8 | mW | Ith+40mA | |
| Courant de seuil | Ith | 5 | 10 | mA | Onde entretenue | |
| Opération fonctionnante | Si | 45 | 55 | mA | Onde entretenue, P=Po | |
| Chute de tension en avant | VOP | - | 1,1 | 1,5 | V | Onde entretenue, Ith+40mA |
| Longueur d'onde de cent | λc | 1540 | 1550 | 1560 | nanomètre | -3DB |
| Largeur de spectre | Δλ | - | 0,2 | nanomètre | -20dB | |
| rapport de suppression de Côté-mode | SMSR | 35 | - | DB | - | |
| Largeur de bande (3dB) | Guerre biologique | - | 2,5 | Gigahertz | - | |
| Courant de moniteur | Im | 0,1 | 0,9 | mA | Onde entretenue, Ith+40mA | |
| Courant d'obscurité de moniteur | Identification | - | - | 0,1 | uA | 5V |
| Bruit relatif d'intensité | RIN | - | -155 | -150 | dB/Hz | Onde entretenue, 25℃ |
| Planéité passe-bande de rf | FB | ±1.0 | DB | If=Iop, 45MHz-2500MHz, °C T=25 | ||
| Déformation de troisième ordre | IMD3 | - | -55 | - | dBc | essai de 2 tons, |
| Isolement optique | OIN | 30 | 40 | - | DB | 25℃ |
